Optimasi Microwave Assisted Blanching (Mab) pada Pre-treatment Tomat (Solanum Lycopersicum L.) dengan Response Surface Methodology (RSM)
Abstract
Tomat (Solanum lycopersicum L.) merupakan tanaman hortikultura yang memiliki nilai ekonomis tinggi sehingga berpotensi untuk diolah menjadi produk pangan. Perlakuan awal sebelum pengolahan seperti blansing dapat mempengaruhi sifat fisik dan kimia tomat. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui kondisi optimum blansing menggunakan gelombang mikro pada tomat sehingga dapat meminimalkan kehilangan nutrisi selama proses blansing. Untuk mencapai tujuan tersebut, dilakukan evaluasi pengaruh daya gelombang mikro, waktu blansing, dan waktu pendinginan selama blansing menggunakan metode Response Surface Methodology (RSM) dengan Box Behnken Design (BBD). Faktor yang digunakan adalah daya gelombang mikro (200, 400, 600 watt), waktu blansing (40, 60, 80 detik), dan waktu pendinginan dalam air dingin (0, 30, 60 detik). Parameter respon yang diamati adalah rendemen, nilai TDS, kadar vitamin C, dan kadar karoten. Berdasarkan penelitian yang telah dilakukan, blansing tomat dengan microwave dapat menurunkan kualitas tomat berupa penurunan rendemen dan vitamin C, serta peningkatan TDS dan total karoten. Kondisi optimum Microwave Assisted Blanching (MAB) untuk meminimalkan penurunan kualitas tomat adalah daya microwave 600 watt, waktu blansing 40 detik, dan waktu pendinginan 14,65 detik dengan nilai desirability sebesar 0,789. Kondisi optimum tersebut menghasilkan karakteristik buah tomat dengan nilai rendemen 99,30%, TSS 4,11 °Brix, vitamin C 149,99 mg/100 g, dan total karoten 3,76 mg/100 g. Tomat yang telah mengalami blansing pada kondisi optimum memiliki karakteristik fisikokimia berupa kroma sebelum blansing sebesar 17,8 dan setelah blansing sebesar 13,78, oHue sebelum blansing sebesar 49,51° dan setelah blansing sebesar 54,85° yang termasuk dalam warna kromatisasi merah kuning, aktivitas antioksidan dengan nilai IC50 sebesar 69,05 μg/ml, dan kadar fenol total sebesar 3,2 mg GAE/g.