• Login
    View Item 
    •   Home
    • LECTURER RESEARCH REPORT (LEMLIT)
    • LRR-Hibah Fundamental
    • View Item
    •   Home
    • LECTURER RESEARCH REPORT (LEMLIT)
    • LRR-Hibah Fundamental
    • View Item
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Injeksi Spin Pada Divais Spintronika Berstruktur Dilute Magnetic Semiconductors/Semiconductor Non Magnetic (DMS/SNM) Dengan Tebal DMS Terbatas

    Thumbnail
    View/Open
    fundamental-Edy Supriyanto.pdf (345.8Kb)
    Date
    2013-09-25
    Author
    Edy Supriyanto
    Goib Wiranto
    Metadata
    Show full item record
    Abstract
    Divais spintronika berstuktur DMS/SNM dibentuk untuk mengurangi besarnya perbedaan konduktivitas antara feromagnetik logam dengan semikonduktor. Pada penelitian ini yang digunakan sebagai Dilute magnetic semiconductors (DMS) adalah TiO2:Co sedangkan sebagai semikonduktor non magnetik (SNM) adalah Si dan TiO2. Struktur ini diajukan dengan harapan dapat meningkatkan derajat polarisasi spin dari muatan terpolarisasi. Pada penelitian ini film tipis TiO2 telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat Si(100) memakai metode spin-coating. Prekursor yang digunakan titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4]. Pada proses penumbuhan digunakan wetting layer untuk mengatasi besarnya ketidaksesuaian kisi antara Si(100) dan film TiO2. Komposisi prosentase atom penyusun film diperoleh sebesar Ti:O:C= 30,90%:67,16%:1,94%. Film TiO2 yang dideposisikan mempunyai bidang kristal (Si(004)), rutile (002) dan rutile (202) . Besarnya celah pita energi dari film tipis TiO2 adalah 3,7 eV. Morfologi permukaan film tipis yang ditumbuhkan mempunyai butiran penyusun film yang homogen. Pada penelitian ini juga telah dilakukan penumbuhan film tipis TiO2:Co diatas substrat Si(100) memakai metode spin-coating. Prekursor yang digunakan titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4] sebagai sumber prekursor logam Ti. Bahan Co(TMHD)3 dilarutkan ke dalam pelarut tetrahydofuran (THF(C4H8O)) untuk memperoleh prekursor dalam bentuk cairan dengan konsentrasi 0,1 M. Prekursor ini digunakan sebagai sumber Co. Film tipis ditumbuhkan dengan divariasi temperatur pemanasan pada tahap akhir dari (3500C-5500C). Film tipis TiO2:Co yang pada tahap akhir dipanaskan dengan menggunakan oven (tungku pemanas) pada temperatur 5000C, tersusun oleh butiran film yang tumbuh terorientasi pada bidang rutile (002) dan rutile (202) dan memiliki ketebalan berkisar 0,5 m. Dari hasil analisis EDS berikut komposisi: Ti:O:C:Co= 9,02%:61,94%: 28,98%: 0,06%. Energi band gap dari film tipis TiO2:Co tersebut sebesar 3,37 eV. Pada uji sifat listrik diperoleh informasi, bahwa kontak logam Au akan memiliki sifat schottky terhadap film tipis TiO2:Co. Apabila kontak yang digunakan adalah logam perak (Ag) maka sifat kontaknya adalah Ohmik.
    URI
    http://repository.unej.ac.id/handle/123456789/1217
    Collections
    • LRR-Hibah Fundamental [144]

    UPA-TIK Copyright © 2024  Library University of Jember
    Contact Us | Send Feedback

    Indonesia DSpace Group :

    University of Jember Repository
    IPB University Scientific Repository
    UIN Syarif Hidayatullah Institutional Repository
     

     

    Browse

    All of RepositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

    My Account

    LoginRegister

    UPA-TIK Copyright © 2024  Library University of Jember
    Contact Us | Send Feedback

    Indonesia DSpace Group :

    University of Jember Repository
    IPB University Scientific Repository
    UIN Syarif Hidayatullah Institutional Repository