Penumbuhan Film Tipis Titanium Dioxide (TiO2) pada Substrat Si(100) dengan Metode Spin Coating

dc.contributor.author	Supriyanto, Edy
dc.date.accessioned	2020-01-09T09:02:04Z
dc.date.available	2020-01-09T09:02:04Z
dc.date.issued	2013-01-02
dc.identifier.uri	http://repository.unej.ac.id/handle/123456789/96992
dc.description.abstract	Pemanasan pada suhu 400C menghasilkan film amorf, suhu 450C menghasilkan campuran rutile dan anatase, dan pemanasan pada suhu 500C dan 550C menghasilkan Fil berfase anatase. Film tipis yang dihasilkan merupakan film homogen dengan ukuran butir berorde nano meter dan mempunyai celah pita energi sekitar 3,7 eV.	en_US
dc.language.iso	Ind	en_US
dc.publisher	Jurnal Sains, Vol. 41, No. 1, Januari 2013	en_US
dc.subject	butiran kristal	en_US
dc.subject	morfologi kristal	en_US
dc.subject	struktur kristal	en_US
dc.subject	spin-coating	en_US
dc.subject	TiO2 wetting layer	en_US
dc.title	Penumbuhan Film Tipis Titanium Dioxide (TiO2) pada Substrat Si(100) dengan Metode Spin Coating	en_US
dc.type	Article	en_US
dc.identifier.kodeprodi	KODEPRODI1810201#Fisika
dc.identifier.nidn	NIDN0015126704