SIMULASI PENENTUAN DAYA RF OPTIMTIM DALAM PROSES FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI

Abstract

Penumbuhan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a:Si-H) dengan menggrurakan teknik IIWC-VIIF-PECVD telah dikembangkan pada variasi daya RF 6-12,5 watt. Simulasi terhadap pararal,etar deposis dari lapisan tipis a:Si-H diharapkan dapx meminimalisir tahapan optimasi pada proses fabrikasi. Dengan memanfaatkan data celah pita energi dari lapisan apis, solusi dari Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinuitas termodifikasi dapat menggambarkan distribusi dari konsertrasi pembawa muatan, baik itu hole maupun elektron. Berdasarkan solusi tersebut. distribusi rapat arus pada variasi tegangan simulasi diperoleh. Karakteristik arus-tegangan ini selanjutnya digunakan untuk menentukan nilai efisiensi konversi dari sel surya. Hasil simulasi menunjukkan bahwa efisiensi sel surya terfinggi berbasis lapisan tipis a:Si-H adalah sebesar 9,32%, yang diperoleh pada deposisi menggunakan daya RF 11,5 watt. Perubahan struktur amorf menladi mikrokistal diduga terjadi pada deposisi lapisan tipis menggunakan daya minimal 12 watt dengan efisiensi sebesar 14%.