| dc.description.abstract | Karakteristik Struktur dan Fotoluminisen dari Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisikan menggunakan
Pengkabutan Ultrasonik. Lapisan tipis seng oksida (ZnO) telah ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) menggunakan
pengkabutan ultrasonik dengan variasi konsentrasi Zn pada suhu 450 °C. Berdasarkan pengujian difraksi sinar-X, lapisan
tipis ZnO memiliki struktur wurtzite berbentuk hexagonal polikristalin. Dua buah puncak yang memiliki orientasi bidang
(002) dan (101) memiliki perubahan intensitas akibat adanya variasi konsentrasi Zn. Begitupula hasil perhitungan yang
mengacu pada persamaan Scherer’s dan Stokes-Wilson, memberikan informasi bahwa ukuran kristallite dipengaruhi
oleh konsentrasi Zn. Secara optik, perbandingan emisi UV/GB yang teramati dari spektrum fotoluminisen memiliki
nilai tertinggi ketika konsentrasi Zn 0.02 mol/mL. Kami memprediksikan bahwa penambahan konsentrasi Zn, transisi
non-radiative yang berasal dari defek-defek (defek kisi dan permukaan) menjadi dominan. Sebagai kesimpulan, lapisan
tipis ZnO yang memiliki konsentrasi Zn 0.02 mol/mL memiliki kualitas kristal dan optik yang lebih optimal | en_US |
