dc.description.abstract | Dye-Sensitized Solar Cell (DSSC) merupakan sel surya generasi ketiga yang
ramah lingkungan serta ekonomis, tetapi nilai efisiensi konversi energinya masih
lebih rendah dibanding sel surya generasi pertama dan sel surya generasi kedua.
Jika ditinjau secara teoritis kinerja DSSC ini masih dapat ditingkatkan. Hal ini
menyebabkan pengembangan penelitian mengenai DSSC menarik untuk
dilakukan dengan harapan dapat tercapainya peningkatan kinerja pada DSSC.
Upaya peningkatan kinerja DSSC dapat dilakukan dengan mengoptimasi
komponen-komponen dasar penyusunnya. Beberapa komponen dasar penyusun
DSSC yaitu photoelektroda, zat pewarna (dye), elektrolit, dan counter elektroda.
Salah satu komponen dasar dari DSSC yang mampu menunjang kinerjanya yaitu
photoelektroda.
Photoelektroda merupakan komponen pada DSSC yang berfungsi
menyediakan permukaan yang luas untuk memuat zat pewarna (dye) dan
meneruskan elektron fotogenerasi menuju ke sirkuit eksternal DSSC. Pada
komponen photoelektroda ini dilapisi dengan material semikonduktor. Material
semikonduktor yang memiliki kestabilan tinggi terhadap cahaya matahari serta
tidak berbahaya bagi lingkungan yaitu Titanium Dioksida (TiO2), sehingga dalam
penelitian ini digunakan TiO2 sebagai lapisan semikonduktor pada photoelektroda.
Pada penelitian ini telah dilakukan simulasi investigasi unjuk kerja DSSC
dengan menggunakan variasi ketebalan photoelektroda TiO2. Kegiatan simulasi
menggunakan variasi ketebalan photoelektroda TiO2 dimulai dari skala nanometer
(1 nm) sampai dengan skala mikrometer (100 µm). Setiap perubahan ketebalan
photoelektroda TiO2 tersebut mempengaruhi nilai parameter-parameter kelistrikan
pada DSSC yaitu rapat arus listrik short circuit (Jsc), tegangan listrik open circuit
(Voc), daya listrik maksimum (Pmax), dan efisiensi DSSC (η). Berdasarkan
kegiatan simulasi ini diperoleh nilai ketebalan photoelektroda TiO2 optimum yang
diindikasikan dengan tingginya nilai parameter-parameter kelistrikan yang
dihasilkan pada ketebalan tersebut. Selanjutnya setelah diperoleh nilai ketebalan
optimum photoelektroda TiO2, maka dilakukan simulasi variasi nilai mobilitas
elektron akibat perubahan temperatur DSSC pada nilai ketebalan photoelektroda
TiO2 tersebut. Hal ini dilakukan karena faktor temperatur menjadi faktor eksternal
yang mampu mempengaruhi kinerja DSSC. Nilai temperatur yang disimulasikan
yaitu 273 K sampai dengan 373 K dengan rentang 10 K dengan masing-masing
variasi temperatur ini menyebabkan perubahan terhadap nilai mobilitas elektron di
dalam TiO2.
Hasil penelitian berupa grafik hubungan antara rapat arus listrik short
circuit (Jsc) terhadap tegangan listrik open circuit (Voc) yaitu grafik J-V, grafik
hubungan antara daya listrik maksimum (Pmax) terhadap tegangan listrik open
circuit (Voc) yaitu grafik P-V, dan grafik hubungan antara nilai efisiensi DSSC (η)
terhadap ketebalan photoelektroda TiO2 (d) yaitu grafik (η-d). Berdasarkan
kegiatan simulasi diperoleh bahwa nilai ketebalan photoelektroda TiO2 optimum
sebesar 5 µm dengan nilai rapat arus listrik short circuit (Jsc) sebesar 0,0145
A/cm2
; nilai tegangan listrik open circuit (Voc) sebesar 0,6079 V; nilai daya listrik
maksimum (Pmax) sebesar 0,0049 VA/cm2
; nilai fill factor sebesar 0,5558; dan
nilai efisiensi sebesar 4,90 %. Selanjutnya, hasil simulasi perubahan nilai
mobilitas elektron pada ketebalan optimum photoelektroda TiO2 (5 µm)
menunjukkan bahwa ketika nilai mobilitas elektron sebesar 0,0155 cm2
/Vs
diperoleh hasil performa DSSC yaitu nilai rapat arus listrik short circuit (Jsc)
sebesar 0,0145 A/cm2
; nilai tegangan listrik open circuit (Voc) sebesar 0,7582 V;
nilai daya listrik maksimum (Pmax) sebesar 0,0061 VA/cm2
; nilai fill factor sebesar
0,5548; dan nilai efisiensi sebesar 6,10 %. | en_US |