Show simple item record

dc.contributor.advisorPURWANDARI, Endhah
dc.contributor.advisorSUPRIYANTO, Edy
dc.contributor.authorHOIRIYAH, Samsiatun
dc.date.accessioned2017-01-18T01:40:53Z
dc.date.available2017-01-18T01:40:53Z
dc.date.issued2017-01-18
dc.identifier.nimNIM121810201068
dc.identifier.urihttp://repository.unej.ac.id/handle/123456789/78786
dc.description.abstractBerdasarkan hasil penelitian simulasi pengaruh temperatur terhadap distribusi konsentrasi hole kristal GaAs akibat peristiwa deformation potential scattering yang telah dilakukan, diperoleh kesimpulan sebagai berikut: 1. Ketika temperatur divariasikan mulai dari 40 K, 60 K, 80 K, 100 K dan 300 K (sebagai temperatur kontrol), maka nilai konsentrasi hole yang diperoleh berbeda-beda tetapi memiliki kecenderungan yang sama. Semakin mendekati katoda, maka nilai konsentrasi hole menjadi semakin kecil. 2. Kurva karakteristik pengaruh temperatur terhadap konsentrasi hole (p-T) kristal GaAs akibat peristiwa deformation potential scattering yang diperoleh pada penelitian ini menunjukkan bahwa untuk daerah A dan daerah B ketika temperatur 40 K menuju 60 K dan 80 K menuju 100 K, diperoleh nilai konsentrasi hole yang konstan. Pada daerah C dan daerah D, ketika terjadi peningkatan temperatur maka nilai konsentrasi hole menjadi semakin kecil. Akan tetapi untuk daerah E, daerah F dan daerah G, diperoleh nilai konsentrasi hole yang semakin besar seiring meningkatnya temperatur. Sedangkan, untuk daerah H diperoleh nilai konsentrasi hole yang relatif kecil dan konstan pada saat terjadi peningkatan temperatur.en_US
dc.language.isoiden_US
dc.relation.ispartofseries121810201068;
dc.subjectHOLE KRISTAL GALIUM ARSENIDAen_US
dc.subjectDEFORMATION POTENTIAL SCATTERINGen_US
dc.titleSIMULASI PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP DISTRIBUSI KONSENTRASI HOLE KRISTAL GALIUM ARSENIDA PADA PERISTIWA DEFORMATION POTENTIAL SCATTERINGen_US
dc.typeUndergraduat Thesisen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record