| dc.description.abstract | Penelitian ini bertujuan untuk merancang bangun sensor gas CO yang berbasis Zinc Oxide nanokristal. Prekursor yang digunakan adalah Bis (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) Zinc, 99%, Zn(C11H19O2)2 berbentuk serbuk , sebagai pelarut digunakan THF (OC4H8). Pada tahapan ini telah berhasil ditumbuhkan film tipis ZnO yang ditumbuhkan diatas substrat Si(100) bersifat polikristal, butiran penyusun film berorde nanometer. Selama proses deposisi digunakan wetting layer. Wetting layer digunakan untuk meminimal besarnya lattice mismatch antara film tipis dengan substrat. Besarnya lattice mismatch antara film tipis ZnO dengan substrat Si(100) adalah sebesar 39%. Pada tahapan berikutnya pada tahun pertama ini akan dilakukan lagi optimasi penumbuhan film tipis ZnO dengan menggunakan wetting layer dan optimasi lamanya annealing sehingga dihasilkan film tipis ZnO yang epitaxy, berorde nanometer. Kondisi optimum tersebut digunakan untuk melakukan rekayasa terhadap film tipis ZnO melalui pendadahan dengan unsur elemen Au. Kondisi penumbuhan, konsentrasi precursor dan pelarut dijadikan sebagai acuan dalam memperoleh film tipis ZnO nanokristal yang berkualits baik yang dapat diaplikasikan sebagai sensor gas CO.
Untuk mengetahui sifat film beberapa teknik pengujian dilakukan, seperti: struktur kristal menggunakan X-Ray diffractometer (XRD), komposisi kimia dengan Energy Dispertion Spectroscope (EDS), citra permukaan dan penampang film tipis memakai Scanning Electron Microscope (SEM) dan uji transport listrik dengan menggunakan teknik empat titik metode van der Paw. | en_US |
