PENGARUH KETEBALAN LAPISAN I PADA PERHITUNGAN KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN SEL SURYA TIPE PIN MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA

Abstract

Hasil simulasi menunjukkan bahwa grafik distribusi konsentrasi pembawa muatan yang dihasilkan hampir sesuai dengan grafik distribusi konsentrasi pembawa muatan hasil simulasi yang dilakukan oleh Hack dan Shur (1985). Akan tetapi, pada beberapa tegangan keluaran grafik distribusi konsentrasi pembawa muatan elektron mengalami penurunan ketika memasuki daerah persambungan p-i dan persambungan i-n. Sedangkan untuk karakteristik arus-tegangan dapat diketahui bahwa tegangan keluaran yang dihasilkan berbeda dengan hasil eksperimen yang dilakukan oleh Sanchez (2001). Orde dari tegangan keluaran yang dihasilkan pada simulasi ini terlalu kecil. Namun karakteristik I-V yang dihasilkan sudah sesuai dengan trend I-V dari sel surya, yaitu besarnya arus semakin mengecil dengan bertambahnya tegangan keluaran. Dari grafik I-V dapat diketahui bahwa pada saat lapisan-i ditingkatkan dari 1 μm ke 2 μm nilai arus yang dihasilkan menurun, sedangkan ketika lapisan-i ditingkatkan dari 2 μm ke 3 μm nilai arus yang dihasilkan meningkat.