Analisa Pengaruh Temperatur Operasional dalam Simulasi Karakteristik Arus-Tegangan pada Dioda Si Menggunakan FEMLAB”

Abstract

Persambungan p-n atau dioda diciptakan dari bahan semikonduktor ekstrinsik tipe-p dan semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Mutu pengoperasian dari dioda juga bergantung pada temperatur operasional dari dioda itu sendiri. Dioda dirancang bekerja baik pada temperatur ruang. Perubahan temperatur operasional dari dioda akan mempengaruhi jumlah pembawa muatan, dengan demikian arus yang dihasilkan juga akan berubah terhadap perubahan temperatur. Arus yang dihasilkan merupakan kontribusi dari pembawa muatan mayoritas yang merupakan fungsi tegangan masukan dioda. Keterkaitan antara arus-tegangan pada sambungan p-n dioda dijelaskan oleh kurva karakteristik arus-tegangan. Adanya perubahan temperatur akan menyebabkan adanya perubahan kurva karakteristik arus-tegangan. Arus-tegangan memiliki ketergantungan secara implisit terhadap temperatur operasional melalui besaran arus saturasi (Is). Temperatur operasional ini berkontribusi sangat besar terhadap konsentrasi pembawa muatan intrinsik (ni) serta arus saturasi (Is) dari dioda. Dalam hal ini, analisis kebergantungan distribusi elektron dan hole terhadap parameter temperatur operasional dapat dilakukan melalui kajian teoritik. Untuk itulah, diperlukan sebuah simulasi pemodelan distribusi pembawa viii muatan di bawah variasi temperatur operasional tertentu, sehingga dapat dianalisis karakteristik arus-tegangan yang dihasilkan. Di dalam penelitian ini, dilakukan simulasi karakteristik arus-tegangan yang diperoleh berdasarkan distribusi konsentrasi pembawa muatan. Model distribusi pembawa muatan hole dan elektron diperoleh dengan menyelesaikan persamaan dasar divais semikonduktor, yang diaplikasikan untuk dioda berbasis silikon. Pemodelan dilakukan dengan memanfaatkan perangkat lunak FEMLAB yang memiliki kelebihan selain dapat digunakan untuk menyelesaikan persamaan differensial divais semikonduktor, juga mampu menggambarkan geometri dari divais, sehingga hasil simulasi ini lebih mudah untuk dianalisa. Berdasarkan hasil simulasi, diperoleh kemiripan antara hasil simulasi dengan hasil eksperimen pembanding yakni Aslizar (1996). Hasil penelitian yang sudah dilakukan diperoleh bahwa adanya variasi temperatur operasional menyebabkan adanya perubahan distribusi konsentrasi hole dan elektron. Hal ini terlihat bahwa untuk setiap mesh yang sama di dalam geometri dioda Si menghasilkan nilai konsentrasi hole maupun elektron yang semakin bertambah seiring dengan pertambahan temperatur operasional dioda. Berangkat dari adanya perubahan distribusi konsentrasi hole dan elektron di dalam pengaruh temperatur operasional oleh sebab itu dilakukan pengkajian tentang kurva karakteristik arus-tegangan dioda Si. Dari hasil diperoleh adanya perubahan kurva karakteristik arus-tegangan di bawah pengaruh variasi temperatur operasional. Nilai arus dioda yang dihasilkan semakin bertambah seiring dengan pertambahan temperatur operasional pada tegangan masukan yang sama. Sesuai dengan teori yang ada bahwa parameter temperatur operasional mempengaruhi nilai konsentrasi muatan pembawa muatan intrinsik (ni), nilai arus saturasi (IS), dan fungsi eksponensial eqV/kT pada perhitungan arus dioda sehingga temperatur operasional sangatlah penting untuk di pertimbangkan di dalam pengoprasian dioda Si.