Koefisien Transmisi Pada Efek Terobosan Penghalang Potensial Rangkap Tiga GaN, SiC Dan GaAs

Abstract

Tujuan dari penelitian yang telah dilakukan yaitu untuk mengetahui nilai dari koefisien transmisi dan refleksi yang dimiliki oleh elektron saat mengalami efek terobosaan pada potensial penghalang rangkap tiga GaN, SiC dan GaAs. Tinggi potensial penhalang dan lebarnya yang dimiliki oleh bahan semikonduktor yang digunakan yaitu GaN 3.39 dan 0.3189 ; SiC 2. 3 dan 0.43596 ; GaAs 1 . 424 dan 0.565 . Sedangkan untuk energi maksimum elektron yang digunakan adalah 1 . Koefisien transmisi menyatakan probabilitas yang dimiliki oleh partikel untuk menerobos melewati daerah potensial. Sebaliknya, koefisien refleksi menyatakan probabilitas yang dimiliki oleh partikel untuk dipantulkan oleh daerah potensial. Metode termudah yang dapat digunakan untuk mendapatkan nilai dari koefisien transmisi dan refleksi adalah metode propagasi matriks. Metode ini menggunakan pendekatan potensial tangga untuk mendapatkan nilai dari propagasi total daerah potensial. Untuk memudahkan dalam perhitungan, digunakan program komputer komputasi untuk menganalisa besarnya koefisien transmisi dan refleksi. Koefisien transmisi terbesar yang dimiliki oleh elektron ketika mengalami efek terobosan pada penghalang potensial rangkap tiga bernilai 0.8947 atau kurang lebih 89.47% pada energi elektron 0. 9 . Sedangkan ketika energi dari elektron mencapai 1 , nilai koefisien transmisi yang dimiliki elektron tersebut bernilai 0.181 atau 18.1%.