Show simple item record

dc.contributor.authorEndhah Purwandari
dc.contributor.authorToto Winata
dc.date.accessioned2014-03-27T07:27:20Z
dc.date.available2014-03-27T07:27:20Z
dc.date.issued2014-03-27
dc.identifier.urihttp://repository.unej.ac.id/handle/123456789/56488
dc.descriptionSEMINAR NASIONAL MIPA DAN PMIPA I 31 Maret 2013 FKIP UNIVERSITAS JEMBERen_US
dc.description.abstractPenumbuhan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a:Si-H) dengan menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD telah dikembangkan pada variasi daya RF 6-12,5 watt. Simulasi terhadap parameter deposisi dari lapisan tipis a:Si-H diharapkan dapat meminimalisir tahapan optimasi pada proses fabrikasi. Dengan memanfaatkan data celah pita energi dari lapisan tipis, solusi dari Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinuitas termodifikasi dapat menggambarkan distribusi dari konsentrasi pembawa muatan, baik itu hole maupun elektron. Berdasarkan solusi tersebut, distribusi rapat arus pada variasi tegangan simulasi diperoleh. Karakteristik arus-tegangan ini selanjutnya digunakan untuk menentukan nilai efisiensi konversi dari sel surya. Hasil simulasi menunjukkan bahwa efisiensi sel surya tertinggi berbasis lapisan tipis a:Si-H adalah sebesar 9,32%, yang diperoleh pada deposisi menggunakan daya RF 11,5 watt. Perubahan struktur amorf menjadi mikrokristal diduga terjadi pada deposisi lapisan tipis menggunakan daya minimal 12 watt dengan efisiensi sebesar 14%.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.subjectsimulasi, lapisan tipis, silikon amorf terhidrogenasi, efisiensi sel surya, daya RF, optimasien_US
dc.titleSIMULASI PENENTUAN DAYA RF OPTIMUM DALAM PROSES FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASIen_US
dc.typeArticleen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record