Penumbuhan Film Tipis Titanium Dioxide (TiO2) pada Substrat Si(100) dengan Metode Spin Coating
Abstract
Pemanasan pada suhu 400C menghasilkan film amorf, suhu 450C menghasilkan campuran rutile dan anatase, dan pemanasan pada suhu 500C dan 550C menghasilkan Fil berfase anatase. Film tipis yang dihasilkan merupakan film homogen dengan ukuran butir berorde nano meter dan mempunyai celah pita energi sekitar 3,7 eV.
Collections
- LSP-Jurnal Ilmiah Dosen [7301]