INJEKSI SPIN PADA DIVAIS SPINTRONIKA BERSTRUKTUR TIO2 :CO/TIO 2 /TIO :CO
Abstract
Pada penelitian ini telah di fabrikasi divais spintronika berstuktur
TiO
2
:Co/TiO
2
/TiO
:Co (DMS/SNM/DMS). Disain ini diusulkan sebagai pengembangan
dari penelitian sebelumnya yang menggunakan SNM berupa Si. Disain ini dapat
mengurangi besarnya perbedaan konduktivitas antara feromagnetik logam dengan
semikonduktor dan akan meningkatkan derajat polarisasi spin dari muatan terpolarisasi.
2
Plot kurva hubungan (R
D
/R
0
)
terhadap (derajat spin terpolarisasi) untuk struktur divais
TiO
2
:Co/TiO
2
/TiO
2
:Co yang telah diinvestigasi. Kurva (R
D
/R
0
)
terhadap (derajat spin
terpolarisasi) dihitung dengan syarat batas
D
<<d dan x
o
<<
, yang menunjukkan adanya
ketergantungan pada panjang DMS (d) melalui ungkapan coth(d/
N
) yang merupakan efek
akumulasi spin. Besarnya magnetoresistansi dianalisa dengan memperhitungkan besarnya
konduktivitas yang bergantung pada medan magnetik luar. Hasil pengukuran
magnetoresistansi yang dilakukan pada penelitian ini mempunyai orde yang sama dengan
penelitian sebelumnya. Hal ini mengindikasikan bahwa adanya efek akumulasi spin ke
dalam salah satu jalur konduksi pada semiconduktor dapat diamati dengan adanya
perbedaan resistansi pada divais tersebut. Hubungan (R
D
/R
0
)
D
terhadap (derajat spin
terpolarisasi) dengan variasi panjang film tipis TiO
:Co telah dihitung juga secara numerik.
Hasil perhitungan menunjukkan bahwa adanya fenomena berkurangnya ketebalan TiO
2
:Co
(d) maka nilai magnetoresistansi (R
D
/R
) menjadi membesar. Hasil magnetoresistansi
(MR) bersesuaian dengan hasil pengukuran secara eksperimen. Pada pengukuran
magnetoresistansi (MR) arus dialirkan sejajar pada bidang film tipis (current in plane,
CIP) sehingga transportnya elektron menyebar dan terhambur pada interface. Hasil
pengukuran MR memberikan informasi bahwa dengan semakin berkurangnya ketebalan
lapisan TiO
2
0
:Co (DMS) akan diperoleh nilai MR (magnetoresistance) yang semakin
membesar. Kurva hubungan Δ/ versus medan magnet yang dihasilkan dari pengukuran
MR pada divais TiO
2
:Co/TiO
2
/TiO
:Co menunjukkan besarnya nilai MR = 40% untuk
ketebalan lapisan film tipis TiO
2
2
:Co sebesar 0,5 m, sedangkan untuk MR = 25%
diperoleh pada film tipis TiO
:Co dengan ketebalan 0,8 m.