SIMULASI PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP DISTRIBUSI KONSENTRASI HOLE KRISTAL GALIUM ARSENIDA PADA PERISTIWA DEFORMATION POTENTIAL SCATTERING

Abstract

Berdasarkan hasil penelitian simulasi pengaruh temperatur terhadap distribusi konsentrasi hole kristal GaAs akibat peristiwa deformation potential scattering yang telah dilakukan, diperoleh kesimpulan sebagai berikut: 1. Ketika temperatur divariasikan mulai dari 40 K, 60 K, 80 K, 100 K dan 300 K (sebagai temperatur kontrol), maka nilai konsentrasi hole yang diperoleh berbeda-beda tetapi memiliki kecenderungan yang sama. Semakin mendekati katoda, maka nilai konsentrasi hole menjadi semakin kecil. 2. Kurva karakteristik pengaruh temperatur terhadap konsentrasi hole (p-T) kristal GaAs akibat peristiwa deformation potential scattering yang diperoleh pada penelitian ini menunjukkan bahwa untuk daerah A dan daerah B ketika temperatur 40 K menuju 60 K dan 80 K menuju 100 K, diperoleh nilai konsentrasi hole yang konstan. Pada daerah C dan daerah D, ketika terjadi peningkatan temperatur maka nilai konsentrasi hole menjadi semakin kecil. Akan tetapi untuk daerah E, daerah F dan daerah G, diperoleh nilai konsentrasi hole yang semakin besar seiring meningkatnya temperatur. Sedangkan, untuk daerah H diperoleh nilai konsentrasi hole yang relatif kecil dan konstan pada saat terjadi peningkatan temperatur.