Browsing UT-Faculty of Mathematics and Natural Sciences by Subject "EFEK HAMBURAN IMPURITAS TERIONISASI"
Now showing items 1-1 of 1
-
SIMULASI KARAKTERISTIK I-V DIODA Si PADA VARIASI TEMPERATUR OPERASIONAL AKIBAT EFEK HAMBURAN IMPURITAS TERIONISASI
(2017-01-20)Pada penelitian ini telah dilakukan simulasi untuk mendapatkan nilai rapat arus yang dihasilkan oleh Dioda Si yang dipengaruhi oleh peristiwa hamburan impuritas terionisasi pada temperatur 200 K, 223 K, 273 K, 323 K, 373 ...