SIMULASI DISTRIBUSI KONSENTRASI ELEKTRON KRISTAL SEMIKONDUKTOR GaAs PADA PERISTIWA DEFORMATION POTENTIAL SCATTERING BERBASIS METODE ELEMEN HINGGA

Abstract

Kristal semikonduktor Gallium Arsenida (GaAs) merupakan salah satu jenis material semikonduktor paduan yang terdiri dari gabungan unsur Gallium (golongan IIIA) dan Arsen (golongan VA). Material ini banyak diaplikasikan dalam pembuatan divais elektronika seperti LED, dioda laser maupun transistor, dimana seluruh divais tersebut didesain untuk beroperasi pada temperatur ruang (300 K). Jika ditinjau secara teoritik, atom-atom dalam kristal semikonduktor akan mengalami vibrasi kisi (gerakan acak dalam kisi-kisi) ketika temperatur pada material tersebut di atas 0 K. Fenomena tersebut dapat mengganggu keleluasaan pergerakan elektron sebagai pembawa muatan pada semikonduktor. Hal ini menyebabkan terjadinya perubahan nilai mobilitas elektron akibat interaksi antara elektron dengan atom-atom kisi yang bervibrasi. Interaksi tersebut dikenal sebagai interaksi elektron-fonon yang menyebabkan terjadinya suatu hamburan pada material tersebut yaitu hamburan fonon.